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Développement de nanomatériaux à résistance thermique accrue, à base de silicium amorphe, destinés aux microbolomètres // Enhanced thermal resistor nanomaterials development, based on amorphous-Si, for microbolometers

Company

CEA Université Grenoble Alpes Laboratoire d’Imagerie thermique et THz

Location

Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes

Posted

July 20, 2026

Position Overview

Topic description

Ce travail de thèse a pour objectif de développer des matériaux performants destinés à la prochaine génération de microbolomètres, en mettant particulièrement l'accent sur l'augmentation de la résistance thermique des bras supportant les pixels, dans un contexte de réduction de leur pas. Notre approche vise à tirer parti de la conductivité thermique plus faible des matériaux induite par des hétérogénéités contrôlées à l'échelle nanométrique. À cette fin, nous avons déjà démontré la fabrication de films minces de silicium amorphe nanocristallin (nc-aSi) (de quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur) présentant une conductivité thermique prometteuse.

Dans le cas du nc-aSi, diverses techniques de caractérisation — spectroscopie Raman, diffraction des rayons X, microscopie électronique à transmission et méthode 3 Omega pour les mesures de conductivité thermique — seront utilisées pour établir une corrélation entre les conditions de dépôt, l...

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